鑲嵌

• 鑲嵌涉及的動作
• 晶片內鑲嵌模式
• 晶片外鑲嵌模式
• 以晶片內或晶片外模式執行 DS wave 所使用的啟發學習法
• 啟用晶片外鑲嵌
• 設定鑲嵌參數

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鑲嵌涉及的動作

1. GPU 將每個個別繪製所產生的所有修補程式 (patch) 分成執行緒群組。
2. 對於每個執行緒群組，GPU 會在運算單元 (CU) 中配置一定數量的本機資料存放區 (LDS) 記憶體。所有必要的頂點著色器 (VS) 與輪廓著色器 (HS) 執行緒都會排程在該 CU 上。
3. 對於每個執行緒群組，GPU 執行的 VS 執行緒數量等於輸入控制點數量乘以每個執行緒群組的 patch 數量。

      VS threads = (input control points) x (patches per threadgroup)  

1. 對於每個執行緒群組，GPU 也會執行數量等於輸出控制點數量乘以每個執行緒群組 patch 數量的 HS 執行緒。

      HS threads = (output control points) x (patches per threadgroup)  

1. 所有 HS 執行緒都必須以執行緒群組的形式同時執行，因為可能需要同步處理屏障。這與計算著色器執行緒群組的運作方式類似，不同之處在於此情況下的同步處理是隱含的，而不是在高階著色器語言 (HLSL) 中指定。
2. 接著，GPU 的鑲嵌器會根據 HS 計算出的鑲嵌因數產生要執行的網域著色器 (DS) 執行緒 (同樣以每個 wave 64 個執行緒封裝)。

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晶片內鑲嵌模式

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晶片外鑲嵌模式

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以晶片內或晶片外模式執行 DS wave 所使用的啟發學習法

• HS 的一個執行緒會收集所有 patch 的所有鑲嵌因數，並計算整個執行緒群組的平均鑲嵌因數。如果此值小於 TfThreshold，則整個執行緒群組會停用晶片外模式。不會將任何資料寫入記憶體，且所有 DS wave 都在相同 CU 中執行。
• 如果執行緒群組未停用晶片外模式，前 DsWaveThreshold 個 DS wave 會以晶片內模式執行，之後會回收 LDS 記憶體，所有其餘的 DS wave 都在晶片外執行。

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啟用晶片外鑲嵌

__XBOX_ENABLE_HSOFFCHIP  

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設定鑲嵌參數

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呼叫 HSSetTessellationParameters

typedef struct D3D12XBOX_TESSELLATION_PARAMETERS_DESC
{
    UINT PatchesPerThreadgroup;
    FLOAT TessellationFactorThreshold;
    UINT DsWaveThreshold;
} D3D12XBOX_TESSELLATION_PARAMETERS_DESC;